氧化膜生長的過程是鋁制件在氧化溶液中通電反應、氧化膜形成和溶解同時進行的矛盾過程，只有在形成的速度大于溶解的速度時，氧化膜才會得到增長。反之，倘若溶解速度大于或等于生長速度，那么就不可能獲得所需要的氧化膜層。在生產過程中，必須注意下述因素對氧化膜質量的影響。
(1)硫酸濃度的影響：一般采用15％～20％的H2SO4作電解液，當濃度超過上限時，膜的溶解速度加大，同時成膜的速度會降低。在工藝范圍內變動時，H2SO4濃度高時，得到的膜孔隙率大，吸附能力好，彈性高，易于染色；較稀的濃度下獲得的膜硬而厚，而且耐磨性能好；硫酸含量不變時，當加入2％草酸，由于草酸在膜上的特性吸附，結果形成一個緩沖層，使膜附近的H+濃度減少，因而使得膜的溶解速度放慢，這樣有利于膜的增長，同時還能抑制熱效應的作用，允許的槽液溫度增高。若加入適量的甘油，也會獲得相似的效果。
(2)電流密度、電壓的影響：提高電流密度可以加速氧化膜的生長，一般為1.0A／dm2為好，電流密度太高時，由于生成熱和焦耳熱，容易形成疏松的粉狀膜層，降低了氧化膜質量，所以在一定工藝允許范圍內，提高電流密度可加快膜層的生長速度。
陽極氧化過程中，電流和電壓是相互影響的。開始氧化時，由于很快生成一層薄而密的阻擋層，電阻增大，電流密度就會降低。此時必須升高電壓，使得電流繼續通過，另外，電壓較高時，還會使得氧化膜的孔隙率變小，但孔徑大；當電壓太高時，在制件的邊緣、尖角部位會造成擊穿，這些地方的電流密度會過大，往往造成粗糙粉狀的現象，影響氧化膜的質量。
(3)電解液溫度的影響：在硫酸電解液中，溫度的影響和硫酸濃度的影響相似。一般控制在室溫下生產為宜。當溫度為15～25℃時，所獲得氧化膜多孔，吸附性能好，柔軟但耐磨性能差；溫度高于30℃時，膜就變得不均勻、不連續；溫度太高甚至生成粉狀膜，因而失去了使用的價值。放出、生成的熱與加工的面積和時間成正比，因此必須用冷卻設備及時把這些熱量除去，而且氧化槽不能太小，體積電流密度以不大于0.3A／dm2為好。
(4)氧化時間的影響：在工藝范圍內，氧化膜的生長速度與氧化時間成正比，膜生長平均速度為0.2～0.3μm／min。氧化時間過長時，膜的外層由于電阻加大的影響容易溶解，孔徑變大，而且粗糙，硬度、耐磨度都相應降低。在裝飾性氧化時，一般控制在30～40min為好；當需染深色或難吸附的顏色時，可延長至90min；時間太長，由于膜層加厚，內應力隨之變大，容易產生裂紋。
為了獲得厚而硬的氧化膜，可改變操作條件如加大電流、控制較低的溶液溫度，有時根據需要可加工幾小時。
(5)攪拌和移動陰極：目前國內常采用壓縮空氣攪拌(但應是凈化無油的)或用泵連續抽出溶液冷卻循環。也有采用移動陽極等其他機械攪拌裝置。目的在于通過強化攪拌，帶走陽極表面所生成的熱量，保證了電解液溫度的均勻性，以免由于局部溫度增高，導致膜的質量下降。
(6)電解液中雜質的影響：陽極氧化與其他鍍種一樣，當雜質超過允許上限時，都會導致氧化膜的質量下降。
當活性離子C1-及F-存在時，氧化膜的孔隙率增加，膜層表面粗糙而疏松，甚至點狀地穿孔，造成產品不可補救的弊病。有的產品為了獲得柔軟性，在電解液中可添加少量的MgC12.
A13+件含量增加往往使表面呈現白點或塊狀的白斑，使膜層的吸附性能下降，不容易染色。從處理方法上的經濟考慮，一般需抽調槽底下部分的老溶液，補充一部分新溶液。
微量Cu2+的存在會使氧化膜出現暗色的條紋和斑點，可用直流電解除去。陰極電流密度控制在0.1～0.2A／dm2，使銅在陰極上析出。
Si常以懸浮狀態存在，使氧化膜上出現褐色的粉狀物，仔細地過濾可以除去，所以氧化槽中的雜質應控制在下述容量之內：
氯離子(C1-) <0．05g／L
氟離子(F-) <0．01g／L
鋁離子(A13+) <20g／L
亞鐵離子(Fe2+) <0．02g／L
銅離子(Cu2+) <0．02g／L
硅(Si) 微量
（想查詢更多表面處理文章，您可以掃描下方二維碼點擊關注公眾號：易鍍，公眾號內有更多詳細的表面處理文章，歡迎您的訂閱）
易鍍，十分專業的表面處理信息平臺，金屬表面處理/鎂合金蝕刻劑/鎂合金除油劑/鎂合金漂白劑/鎂合金轉化膜/環保鋁除灰劑/鋁三價鉻鈍化劑/低磷化學鎳/鋁中磷化學鎳/高磷化學鎳/銀光劑/銀保護等。
表面處理難題可咨詢：13600421922（程生）
